企业简介
宜确半导体（苏州）有限公司 main business:半导体集成电路设计、开发、销售；销售：电子产品、计算机软硬件产品，并提供相关技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；从事上述商品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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宜确半导体（苏州）有限公司的工商信息
- 320594000383798
- 在业
- 有限责任公司
- 2015-01-27
- 陈高鹏
- 1176.47万元人民币
- 2015-01-27 至 永久
- 江苏省苏州工业园区工商行政管理局
- 2015-07-29
- 苏州工业园区仁爱路150号
- 半导体集成电路设计、开发、销售；销售：电子产品、计算机软硬件产品，并提供相关技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；从事上述商品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
宜确半导体（苏州）有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 16856535 |  |
宜确 | 2015-04-30 | 集成电路用晶片；晶体管（电子）；集成电路；芯片（集成电路）；电子芯片；三极管；升压变压器；半导体器件；稳压电源；印刷电路板 | 查看详情 |
| 2 | 16856394 |  |
宜确 | 2015-04-30 | 科学研究；工程学；技术项目研究；技术研究；材料测试；计算机软件咨询；计算机软件维护；计算机软件设计；信息技术咨询服务；计算机硬件设计和开发咨询 | 查看详情 |
| 3 | 16855899 |  |
ETRA | 2015-04-30 | 半导体器件；稳压电源；电子芯片；集成电路；升压变压器；集成电路用晶片；晶体管（电子）；印刷电路板；三极管；芯片（集成电路） | 查看详情 |
| 4 | 16856280 |  |
ETRA | 2015-04-30 | 技术研究；技术项目研究；工程学；科学研究；材料测试；计算机软件设计；计算机硬件设计和开发咨询；计算机软件维护；计算机软件咨询；信息技术咨询服务 | 查看详情 |
宜确半导体（苏州）有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205789958U | 一种射频天线开关芯片 | 2016.12.07 | 本实用新型提供一种射频天线开关芯片，由基板、射频开关管芯及滤波器管芯组成；所述射频开关管芯倒扣贴装在 |
| 2 | CN105743451A | 一种射频功率放大器版图及射频功率放大器 | 2016.07.06 | 本申请公开了一种射频功率放大器版图及射频功率放大器，其中，所述放大器版图中的第零层导电层用于连接所述 |
| 3 | CN106253864A | 一种射频功率放大器 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种射频功率放大器，包括一射频放大通路，射频放大通路包括多级放大电路，多级放大电路包括至 |
| 4 | CN106208990A | 一种射频功率放大器及射频前端模块 | 2016.12.07 | 本申请公开了一种射频功率放大器及射频前端模块，其中，射频功率放大器由至少一个基于CMOS工艺或SOI |
| 5 | CN106208989A | 一种射频功率放大器版图及射频功率放大器 | 2016.12.07 | 本申请公开了一种射频功率放大器版图及射频功率放大器，其中，在射频功率放大器版图中，第二晶体管的漏极通 |
| 6 | CN106374855A | 一种射频功率放大器模块及射频前端模块 | 2017.02.01 | 本申请公开了一种射频功率放大器模块及射频前端模块，其中，所述射频功率放大器模块包括：基于SOI工艺或 |
| 7 | CN106298759A | 一种射频功率放大器模块及射频前端模块 | 2017.01.04 | 本申请公开了一种射频功率放大器模块及射频前端模块，其中，所述射频功率放大器模块的硅衬底的第一表面用于 |
| 8 | CN106301274A | 一种带通滤波器 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种带通滤波器，包括：耦合线圈对，第一耦合线圈对包含第一耦合线圈和第二耦合线圈，第二耦合 |
| 9 | CN106209010A | 一种智能终端及其巴伦 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种巴伦，包括：耦合线圈对，第一耦合线圈的第一端作为巴伦的第一平衡端口，第一耦合线圈的第 |
| 10 | CN205725666U | 一种功率放大器输出级模块及射频前端模块 | 2016.11.23 | 本申请公开了一种功率放大器输出级模块及射频前端模块，其中，所述功率放大器输出级模块包括衬底，功率放大 |
| 11 | CN106100602A | 一种宽带巴伦阻抗变换器 | 2016.11.09 | 本发明公开了一种宽带巴伦阻抗变换器，包括宽带差分阻抗变换器和宽带巴伦，所述宽带差分阻抗变换器包括四个 |
| 12 | CN106059514A | 一种射频功率放大器及射频芯片 | 2016.10.26 | 本发明提供一种射频功率放大器及射频芯片，增加设置了静电释放电路，静电释放电路包括一个二极管或串联的多 |
| 13 | CN105897201A | 一种GSM射频功率放大器 | 2016.08.24 | 本申请提供一种GSM射频功率放大器，通过功率控制曲线斜率调整电路根据功率控制器输出的功率控制信号Vr |
| 14 | CN105871209A | 一种正反馈电路、DC-DC电压转换器及包络跟踪器 | 2016.08.17 | 本申请提供一种正反馈电路，通过电容连接于DC‑DC电压转换器的第一驱动器的输入端和第二驱动器的输出端 |
| 15 | CN105871342A | 一种静电放电电路及功率放大器 | 2016.08.17 | 本申请公开了一种静电放电电路及功率放大器，所述静电放电电路包括并联的第一二极管组和第二二极管组；其中 |
| 16 | CN105811899A | 一种功率放大器输出级模块及射频前端模块 | 2016.07.27 | 本申请公开了一种功率放大器输出级模块及射频前端模块，其中，所述功率放大器输出级模块包括衬底，功率放大 |
| 17 | CN105810647A | 射频开关集成模块及其集成方法、射频前端集成电路 | 2016.07.27 | 本发明提供一种射频开关集成模块及其集成方法、射频前端集成电路，所述射频开关集成模块包括：扇出型封装模 |
| 18 | CN105789163A | 射频前端芯片集成模块和射频前端芯片集成方法 | 2016.07.20 | 本申请提供一种射频前端芯片集成模块和射频前端芯片集成方法，其中射频前端芯片集成模块，包括第一管芯和第 |
| 19 | CN105717354A | 一种功率检测电路及检测方法 | 2016.06.29 | 本申请公开了一种功率检测电路及检测方法，其中，所述检测电路包括偏置单元和跟随放大单元，当所述检测电路 |
| 20 | CN105656291A | 一种电源调节器及射频前端模块 | 2016.06.08 | 本申请公开了一种电源调节器及射频前端模块，其中，所述电源调节器包括：控制模块和稳压模块，所述控制模块 |
| 21 | CN105514094A | 一种射频天线开关芯片 | 2016.04.20 | 本发明提供一种射频天线开关芯片，由基板、射频开关管芯及滤波器管芯组成；所述射频开关管芯倒扣贴装在所述 |
| 22 | CN103095229B | 射频功率放大器 | 2016.04.06 | 本发明公开一种射频功率放大器，该射频功率放大器包括射频信号处理单元、驱动单元和输出单元。射频信号处理 |
| 23 | CN204792780U | 一种半导体集成电感 | 2015.11.18 | 本实用新型公开了一种半导体集成电感，包括衬底、第一金属走线和第二金属走线，衬底包括第一表面和第二表面 |
| 24 | CN104979333A | 一种半导体集成电感 | 2015.10.14 | 本发明公开了一种半导体集成电感，包括衬底、第一金属走线和第二金属走线，衬底包括第一表面和第二表面，第 |
| 25 | CN204697011U | 一种用于GSM/DCS的共源共栅射频功率放大器 | 2015.10.07 | 本实用新型公开了一种用于GSM/DCS的共源共栅射频功率放大器，包括由第一射频晶体管和第二射频晶体管 |
| 26 | CN104967414A | 一种用于GSM/DCS的共源共栅射频功率放大器 | 2015.10.07 | 本发明公开了一种用于GSM/DCS的共源共栅射频功率放大器，包括由第一射频晶体管和第二射频晶体管组成 |
| 27 | CN104779922A | 用于优化射频功率放大器性能的高电压包络跟踪器 | 2015.07.15 | 本发明公开了一种用于优化射频功率放大器性能的高电压包络跟踪器，包括升压模块、降压模块、线性电源驱动模 |
| 28 | CN104779920A | 基于闭环功率控制的共源共栅射频功率放大器 | 2015.07.15 | 本发明公开了一种基于闭环功率控制的共源共栅射频功率放大器，包括至少一个由第一射频晶体管和第二射频晶体 |
| 29 | CN204442292U | 一种效率提高的共源共栅射频功率放大器 | 2015.07.01 | 本实用新型公开了一种效率提高的共源共栅射频功率放大器，包括至少一个由第一射频晶体管和第二射频晶体管组 |
| 30 | CN204442297U | 一种改进的共源共栅射频功率放大器 | 2015.07.01 | 本实用新型公开了一种改进的共源共栅射频功率放大器，在衬底上横向设有共源级晶体管栅极G1、共源级晶体管 |
| 31 | CN104716905A | 一种效率提高的共源共栅射频功率放大器 | 2015.06.17 | 本发明公开了一种效率提高的共源共栅射频功率放大器，包括至少一个由第一射频晶体管和第二射频晶体管组成的 |
| 32 | CN104702226A | 一种改进的共源共栅射频功率放大器 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种改进的共源共栅射频功率放大器，在衬底上横向设有共源级晶体管栅极G1、共源级晶体管源极 |
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